T/CASAS 045-2024 SiC MOSFET动态栅偏试验方法

标准编号：T/CASAS 045-2024

中文名称：SiC MOSFET动态栅偏试验方法

发布部门：第三代半导体产业技术创新战略联盟

发布日期：2024-11-19

实施日期：2024-11-19

标准状态：现行

标准页数：14页

内容简介：本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）动态栅偏试验方法，包括：试验条件、测试方法、应用范围以及失效判据。本文件适用于对SiC MOSFET栅氧质量的评估，主要包括芯片、分立器件、模块。