GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

标准编号：GB/T 1554-2009

中文名称：硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

英文名称：Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

标准状态：现行

替代标准：GB/T 1554-1995

标准页数：20页

内容简介：本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。本标准适用于晶向为〈111〉、〈100〉或〈110〉、电阻率为10-3 Ω·cm～104 Ω·cm、位错密度在0 cm-2～105 cm-2之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。本方法也适用于硅单晶片。