T/CASAS 003-2018 p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片
标准编号：T/CASAS 003-2018
中文名称：p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片
英文名称：4H-SiC Epitaxial Wafers for p-IGBT Devices
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2018-11-20
实施日期：2018-11-20
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标准编号：T/CASAS 003-2018
中文名称：p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片
英文名称：4H-SiC Epitaxial Wafers for p-IGBT Devices
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2018-11-20
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