T/CASAS 047-2024 SiC MOSFET动态高温高湿反偏(DH3RB)试验方法

标准编号：T/CASAS 047-2024

中文名称：SiC MOSFET动态高温高湿反偏(DH3RB)试验方法

发布部门：第三代半导体产业技术创新战略联盟

发布日期：2024-11-19

实施日期：2024-11-19

标准状态：现行

标准页数：14页

内容简介：本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法，用于评估高温高湿高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的老化。本文件适用于单管级和模块级SiC MOSFET。