GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法

标准编号：GB/T 11073-2007

中文名称：硅片径向电阻率变化的测量方法

英文名称：Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

发布日期：2007-09-11

实施日期：2008-02-01

标准状态：现行

替代标准：GB/T 11073-1989

标准页数：13页

内容简介：本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1×10－3 Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。