T/CASAS 021-2024 SiC MOSFET阈值电压测试方法

标准编号：T/CASAS 021-2024

中文名称：SiC MOSFET阈值电压测试方法

发布部门：第三代半导体产业技术创新战略联盟

发布日期：2024-11-19

实施日期：2024-11-19

标准状态：现行

标准页数：17页

内容简介：本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）阈值电压测试方法。本文件适用于N沟道SiC MOSFET晶圆、芯片及封装产品的测试。