T/CASAS 042-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET） 高温栅偏试验方法

标准编号：T/CASAS 042-2025

中文名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET） 高温栅偏试验方法

英文名称：High temperature gate bias test method for silicon carbide metal oxide semiconductor filed effect transistors (SiC MOSFET)

发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

发布日期：2025-12-30

实施日期：2025-12-30

标准状态：现行

标准页数：15页

内容简介：本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高温栅偏试验方法,包括:试验装置、试验程序以及失效判据。本文件适用范围:SiC MOSFET分立功率器件,功率模块。