T/CASAS 021-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法

标准编号：T/CASAS 021-2025

中文名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法

英文名称：Threshold voltage test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistor(SiC MOSFET)

发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

发布日期：2025-12-30

实施日期：2025-12-30

标准状态：现行

标准页数：16页

内容简介：本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法。本文件适用于N沟道SiC MOSFET晶圆、芯片及封装产品的测试。