T/CASAS 047-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法

标准编号：T/CASAS 047-2025

中文名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法

英文名称：Dynamic high-humidity, high-temperature reverse bias test method (DH3TRB) for silicon carbide metal-oxide semiconductor filed effect transistor (SiC MOSFET)

发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

发布日期：2025-12-30

实施日期：2025-12-30

标准状态：现行

标准页数：13页

内容简介：本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法。本文件适用于SiC MOSFET分立器件和功率模块评估高温高湿高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的老化评价。